方块形高频低损耗X2安规聚丙烯膜电容器

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方块形高频低损耗X2安规聚丙烯膜电容器

引用标准:IEC384-14,EN132400,GB/14472,UL1283UL1414

气候类别:40/110/56

额定电压250/275Vac

容量范围0.0047μF4.7μF

容量偏差:&plu*n;10%(k);&plu*n;20%(m);

耐电压:

Between terminals:2100Vdc(1s).C1.0uf ;1800Vdc(1s).c1.0uf

Between terminals to case:2050Vac(2S)

工作温度:-40℃~ 110

损耗角正切:0.1%(201kHZ)

*缘电阻:15000MΩ;C0.33μF,5000MΩ;C>0.3μF;100v 1min

特征用途:

  1. 盒式塑胶外壳封装,单向引出线
  2. 无感式结构及良好的自愈特性,*性和抑制干扰特*
  3. 适应于跨接电源,旁路电路耦合,飞狐电路,EMI滤波,开关电源,电动工具及其他有*需求,抑制干扰要求的电子线路和电子设备中。

 

品牌/商标

CSD创硕达

型号/规格

X2安规电容

介质材料

*薄膜

应用范围

调谐

外形

长方形

功率特性

*率

频率特性

高频

调节方式

固定

引线类型

同向引出线

允许偏差

&plu*n;10(%)

耐压值

2000(V)

标称容量

0.0047~4.7UF(uF)

损耗

≦1.0%(20℃1KHZ)

额定电压

250/275VAC(V)