高频低损耗MEB金属化薄膜电容
地区:广东 深圳
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无
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高频低损耗塑胶外壳金属化聚酯膜电容器MEB
引用标准:GB7332 (IEC60384-2)
气候类别:40/100/21
额定电压:100VDC-250Vdc-400Vdc-630Vdc
容量范围:0. 001μF~10μF
容量偏差:&plu*n;5%(J);&plu*n;10%(k)
耐电压:1.6UR(5s)
工作温度:-40℃~ 100℃
损耗角正切:≤1.0%(20℃1kHZ)
*缘电阻:≥15000MΩ ;C≤0.33μF, ≥5000MΩ ;C more than 0.33μF;
(20℃,100v 1min)
特征用途:
1.盒式塑胶外壳封装,单向引出线
2.无感式结构及良好的自愈特性
3.*缘电阻高,容量稳定性好
4.适用于直流和脉冲电路,广泛用于广播电视新产品,邮电通信设备,数据处理设备及各种电子仪器中。
CSD
聚酯薄膜电容
*薄膜
耦合
方块状
小功率
中频
固定
同向引出线
&plu*n;10(%)
1000(V)
5(mΩ)
0. 001μF~10μF(uF)
≤1.0%(20℃ 1kHZ)
100VDC-250Vdc-400Vdc-630Vdc(V)
30000(mΩ)
0.1