CBB电容器 金属薄膜电容器 CBB21 0.18UF 180nf 400V184J 5%

地区:广东 深圳
认证:

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采用标准
GB10188
(IEC384-13)
结构
介质:聚丙烯膜。
电*:金属真空蒸发层和铝箔。
封装:阻燃环氧树脂(UL94 V-0)。
典型应用
适用于高脉冲及大电流线路。
如:显示器及彩显行逆程线路;电子镇流器、*灯。
特点
有良好自愈性,低损耗。
耐脉冲强度高,高*性。
内部串联结构,电压较高。

技术要求:

额定温度

85℃

工作温度范围

-40℃- 105℃

电容量范围

0.001-1.0uf

电容量误差

&plu*n;5%(J),&plu*n;10%(K),&plu*n;5%(M)

额定电压

100VDC,250VDC,400VDC,630VDC

损耗角正切

1.0%MAX.(at 1 KHZ,25℃)

*缘电阻

>15000MΩ(C≤0.33UF)

>5000MΩ*uf(C≤0.33UF)

 

本公司*经营全系列电容器

CL11型涤纶电容、CBB电容、X2安规电容、CL23B校正电容、独石电容、陶瓷电容、电解电容。

兼营全系列电子元件

CL11型涤纶电容、CBB电容、X2安规电容、CL23B校正电容、独石电容、陶瓷电容、电解电容、钽电容、贴片电容电阻、二三*管、MOS场效应管、集成电路、开关电源、电源适配器等系列产品

品牌/商标

Samsung/三星

型号/规格

400V184J

介质材料

*薄膜

应用范围

滤波

外形

方块状

功率特性

大功率

频率特性

高频

调节方式

固定

引线类型

无引线

允许偏差

&plu*n;5(%)

标称容量

0.18(uF)

额定电压

400(V)

类型

其他IC