场效应管 SSM4K27CT,SA

SSM4K27CT,TOSHIBA,CST4,SMD/MOS,N场,20V,0.5A,0.205Ω，带二极静电保护

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSⅢ)

应用:
 * 高电流开关应用
 * 电源管理开关应用

特点：
 * 低导通电阻：Ron = 205 mΩ (max) (@VGS = 4.0 V)
             ：Ron = 260 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)
             ：Ron = 390 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)

产品型号:SSM4K27CT

封装:CST4

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20

夹断电压VGS(V):±12

最大漏极电流Id(A):0.5

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.205 @VGS = 4 V

开启电压VGS(TH)(V):1.1

功率PD(W):0.4

输入电容Ciss(PF):174 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：1.6

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):16.4 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):17 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM4K27CT,20V,0.5A N-沟道增强型场效应晶体管

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