场效应管 FQD70N03,NTD70N03,ME70N03A,原装现货

FQD70N03,MOS,30V,70A

产品型号:NTD70N03R

封装:SOT-252

应用：电脑主板

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):72

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.008 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2

功率PD(W):62.5

极间电容Ciss(PF):1333

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：27

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):71.7

温度(℃): -55 ~175

描述:25V,72A Power MOSFET

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