图文详情
产品属性
相关推荐
CEP63A3,TO-220,DIP/MOS,N场,30V,66A,0.01Ω CEP93A3,TO-220,DIP/MOS,N场,30V,150A,0.003Ω
MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
产品型号:CEP63A3
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):66
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.01
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):75
极间电容Ciss(PF):2100
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150
描述:30V, 66A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
产品型号:CEP93A3
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):150
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.003
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):120
极间电容Ciss(PF):4100
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150
描述:30V, 150A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
如需了解更多的产品信息:
1、直接与我司工作人员联系!
2、登陆我站:https://www.chinajincheng.com
3、:4006262666
4、Q
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解/查询/下载.)
CET/华瑞
CEP63A3,TO-220,DIP/MOS,N场,30V,66A,0.01Ω
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道