场效应管 CEP63A3,CEP93A3

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CEP63A3,TO-220,DIP/MOS,N场,30V,66A,0.01Ω CEP93A3,TO-220,DIP/MOS,N场,30V,150A,0.003Ω

MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
产品型号:CEP63A3

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):66

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.01

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):75

极间电容Ciss(PF):2100

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TO-220  /-55 ~150

描述:30V, 66A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

 

产品型号:CEP93A3

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):150

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.003

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):120

极间电容Ciss(PF):4100

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TO-220  /-55 ~150

描述:30V, 150A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor


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品牌/商标

CET/华瑞

型号/规格

CEP63A3,TO-220,DIP/MOS,N场,30V,66A,0.01Ω

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道