场效应管 FX20ASJ-06,FX20ASJ-2

产品型号:FX20ASJ-03F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):-20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.12

开启电压VGS(TH)(V):-2.5

功率PD(W):25

极间电容Ciss(PF):500

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SOT-252  /-55 ~150

描述:,-30V,-20A p-Channel 功率MOSFET

产品型号:FX20ASJ-06

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):-20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.097

开启电压VGS(TH)(V):-2.3

功率PD(W):35

极间电容Ciss(PF):2370

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SOT-252  /-55 ~150

描述:,-60V,-20A P-Channel 功率MOSFET

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