MB85RS2MTPF 铁电存储器 100%原装

1Mbit / 2Mbit FRAM SPI接口非易失性存储器

MB85RS1MT / MB85RS2MT

这两款新产品是富士通半导体提供的最大容量串口FRAM，分别带有1 Mbit和2 Mbit的 存储器，适合用于智能电表、工业机械和医疗设备。它有助于开发高性能、小型和节能的 设备，为客户大幅降低整体成本。 ＊FRAM：Ferroelectric RAM :
铁电存储器

FRAM解决方案的优势：

与以往的串行存储器相比，FRAM具 有低功耗、高速写入和高耐受力等特点， 可以减轻产品开发人员在存储器系统设 计方面的烦恼和负担。FRAM还有助于降 低终端产品运用中的风险并将损失控制 到最小范围，有利于降低从产品开发到运 用的整体成本。 图1所示为FRAM的目标应用之一，即 电力仪表开发人员在存储器系统设计上 的烦恼及其解决方案。 以下将具体介绍FRAM的特点以及能 给客户带来的好处。

低功耗改善设备能耗：

利用非易失性存储器FRAM取代SRAM 可省却数据维持所需的电池，从而节省 电力。EEPROM数据写入时电流大、时间 长，因而功耗也大。在电力仪表等应用 中，由于需要频繁读取和记录数据，采用 EEPROM时功耗会较大。 FRAM数据写入时电流小、速度快， 因而功耗也小。采用FRAM作为数据记录 用的存储器设备能耗更低。 与存储容量相同的EEPROM相 比， FRAM写入时最大可减少92%的功耗（写 入速度2K字节/秒）。

型号            接口  存储器容量  电源电压 工作周期 （最大） 工作温度范围 数据读写  次数    数据   保持特性   封装

MB85RS1MT SPI 1Mbit 1.8 ～ 2.7 V 25MHz -40 ～＋85℃ 10万亿次（1013次） 10年（＋85℃） 8脚SOP 2.7～ 3.6 V 30MHz＊ MB85RS2MT SPI 2Mbit 1.8 ～ 2.7 V 25MHz -40 ～＋85℃ 10万亿次（1013次） 10年（＋85℃） 8脚SOP 8脚DIP 2.7～ 3.6 V 25MHz＊ ＊40MHz条件下的高速读动作。

富士通半导通信机存器

型号：MB85R256F、MB85R4M2T、MB85RC04V、MB85RC128A、MB85RC16、MB85RC16V、MB85RC1MT、MB85RC256V、MB85RC512T、MB85RC64TA、MB85RC64V、MB85RDP16LX(*)、MB85RQ4ML、MB85RS128、MB85RS128B、MB85RS16N、MB85RS1MT、MB85RS256B、MB85RS256TY、MB85RS2MTA、MB85RS512T、MB85RS64、MB85RS64V、MB85RS128TY、MB97R8110、MB85RDP16LX、MB85RS64T、MB85RS64TU、MB94R330、MB97R8050、MB89R119B、MB89R112A、MB89R112B、MB89R118C、MB97R8120、MB97R8130

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