IRFS38N20DTRLP MOS管

型号:IRFS38N20DTRLP

封装:TO252

品牌:英飞凌

综述

200 v单n沟道HEXFET功率MOSFET D2-Pak包

优势:

•通过无铅认证

•行业领先的质量

•完全雪崩电压和电流的特征

•低Gate-to-Drain电荷降低切换损失

•充分有效输出电容电容包括简化设计

规格FET 类型N

沟道技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）43A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）54 毫欧 @ 26A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）91nC @ 10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2900pF @ 25VFET

功能-功率耗散（最大值）3.8W（Ta），300W（Tc）

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装D2PAK封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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