供应THGBMBG7D2KBAIL 手机闪存

型号:THGBMBG7D2KBAIL

品牌:TOSHIBA

封装:BGA

东芝闪存  

东京-- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已面向建筑自动化系统、安防设备和半导体测试器等工厂自动化和其他工业应用推出新型光继电器“TLP3122A”。

这一新型光继电器集成有采用最新U-MOS IX工艺MOSFET器件，有效降低导通电阻。TLP3122A采用小型4引脚SO6封装，提供高达60V的断态输出端电压（VOFF）、1.4A的导通电流（ION）以及高达4.2A的导通脉冲电流。而导通电阻（RON）通常仅为0.13Ω，即使在断态电流仅为1μA的情况下，也可实现高效运行。  

该器件利用3750Vrms隔离电压提供3ms （tON） 和1ms （tOFF） 的快速开关时间。 完全符合UL1577的安全关键应用标准。

常开型TLP176AM可用来取代1-Form-A型机械式继电器，提高系统可靠性并节省继电器和继电器驱动器所需的空间。此外，TLP3122A额定工作温度为-40°C-110°C，是工业应用的理想之选，且更易于在系统级散热设计中保证一定的温度冗余。

新型TLP3122A光继电器能够与采用传统2.54 SOP4封装的光电继电器TLP3122实现规格升级并兼容。还有助于实现更大的系统驱动电流，因此可取代更为广泛的机械式继电器。

该新型光继电器的批量发货现已启动。

东芝电子元件及存储装置株式会社将根据市场趋势促进多样化光电耦合器和光继电器产品组合的开发，继续提供满足客户需求的产品。

东芝eMMC V5.0嵌入式存储模块符合JEDEC发布的JEDEC eMMC 5.0版标准。采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片，11.5 x 13mm的小型FBGA封装，容量从4GB-128GB容量。主要应用于智能手机、平板电脑和数字摄像机等广泛的数字消费品，批量生产从11月底开始。

能够支持高分辨率视频和提供更大存储空间的高密度NAND闪存芯片的需求不断增长。这在包含控制器功能的嵌入式存储器领域尤为明显，这种嵌入式存储器可以使开发要求降至，并使得整合进系统设计更加便利。东芝正通过增强其高密度存储器产品系列来满足这一需求。

该公司的新型32 GB嵌入式设备在11.5 x 13 x 1.0mm的小封装中整合了4个64Gbit（相当于8GB）NAND芯片（采用东芝的19纳米第二代尖端工艺技术制造）和一个专用控制器。它符合JEDEC于9月发布的JEDEC eMMC 5.0版标准，并且通过采用新的HS400高速接口标准实现了高读写性能。

东芝将在密度为4GB至128GB的单一封装嵌入式NAND闪存系列中使用这些NAND芯片。所有设备都将整合一个控制器来管理NAND应用的基本控制功能。

THGBF7G9L4LBATR

TC58BVG2S3HTA00B4

TC58BVG1S3HTA00B4H

TC58BVG0S3HTA00B4H

TC58NYG0S3HBAI6

THGAF8T1T83BAIR

THGAF8T0T43BAIR

THGAF8G9T43BAIR

THGAF8G8T23BAIL

THGAF4T0N8LBAIR

THGAF4G9N4LBAIR

THGAF4G8N2LBAIR

THGBMHG9C4LBAIR

THGBMHG8C2LBAIL

THGBMHG7C1LBAIL

THGBF7G9L4LBATR

TC58NYG2S0HBAI6

TC58NYG2S0HBAI4

TC58NYG1S3HBAI6

TC58NYG1S3HBAI4

TC58NYG0S3HBAI6

TC58NYG0S3HBAI4

TC58NVG2S0HTAI0

TC58NVG2S0HTA00

TC58NVG2S0HBAI6

TC58NVG2S0HBAI4

TC58NVG1S3HTAI0

TC58NVG1S3HTA00

TC58NVG1S3HBAI6

TC58NVG2S0HBAI4

TC58NVG1S3HTAI0

TC58NVG1S3HTA00

TC58NVG1S3HBAI6

THGBMDG5D1LBAIL

THGBMFG6C1LBAIL

THGBMHG6C1LBAIL

原装可订货,可香港 交货