MT29F1G08ABAEAWP:E 1GB存储IC

地区:广东 深圳
认证:

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制造商零件编号MT29F1G08ABAEAWP:E TR

描述IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求湿气敏感性等级 (MSL)3(168 小时)

详细描述FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 pval(800) pval(2192) 48-TSOP


规格存储器类型非易失存储器格式闪存技术FLASH - NAND

存储容量1Gb (128M x 8)写周期时间 - 字,页-存储器接口并联

电压 - 电源2.7 V ~ 3.6 V

工作温度0°C ~ 70°C(TA)

安装类型表面贴装封装/外壳48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)

供应商器件封装48-TSOP



MT29F1G08ABAEAWP:E   MT29F1G08ABAEAWP:E   MT29F1G08ABAEAWP:E




品牌

MICRON

封装

TSOP4

数量

3840

包装

960

年份

18+