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数据列表 | BCW31-33 |
产品相片 | SOT-23 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
系列 | - |
晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电* (Ic)(*大) | 100mA |
电压 - 集电*发射*击穿(*大) | 32V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(*大) | 210mV @ 2.5mA, 50mA |
电流 - 集电*截止(*大) | - |
在某 Ic、Vce 时的*小直流电流增益 (hFE) | 200 @ 2mA, 5V |
功率 - *大 | 250mW |
频率 - 转换 | 100MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商设备封装 | TO-236AB |
包装 | 带卷 (TR) |
开关
NXP/恩智浦
BCW32,215
硅(Si)
TO-236-3, SC-59,SOT-23-3
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