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产品属性
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概述:
OHSJ119砷化镓霍尔元件是一种采用Ⅲ-Ⅴ族半导体材料砷化镓(GaAs)单晶,用离子注入工艺制作的磁电转换元件,可将磁场强度信号线性地转换成电压讯号输出。
产品特点
线性度优良、温度稳定性好、采用微型封装
典型应用
磁场测量、无刷电机、电流传感器、无触点开关、位置控制、转速检测
*限参数
*大控制电流Ii····························10 mA
工作环境温度TA···············-55~125℃
贮存温度范围TS ················-55~150℃
电特性 (TA=25℃)
参 数 | * 号 | 测试条件 | 量值 | 单位 |
霍尔输出电压 | VH | Ii=5mA B=100mT | 50~130 | mV |
不等位电压 | VO/VH | Ii=5mA B=0/ B=100mT | ≤12 | % |
输入电阻 | Ri | Ii=1mA | 450~900 | Ω |
输出电阻 | RO | Ii=1mA | 900~1800 | Ω |
VH的温度系数 | аVH | Ii=5mA B=100mT | -0.07 | %/℃ |
输入电阻与输出电阻的温度系数 | аi,o | Ii=1mA B=0mT | 0.3 | %/℃ |
线性度 | ΔKH | Ii=5mA B=0~300mT | <2 | % |
否
SDK
SJ119
霍尔
聚合物
半导体
多晶
集成
数字型
A
A
A