供应霍尔元件（锑化铟）*119，微功耗元器件
地区：江苏 苏州
认证：
无
图文详情
产品属性
相关推荐
概述：
*119砷化镓霍尔元件是一种采用Ⅲ-Ⅴ族半导体材料砷化镓(GaAs)单晶,用离子注入工艺制作的磁电转换元件，可将磁场强度信号线性地转换成电压讯号输出。
产品特点
线性度优良、温度稳定性好、采用微型封装
典型应用
磁场测量、无刷电机、电流传感器、无触点开关、位置控制、转速检测
*限参数
*大控制电流Ii····························10 mA
工作环境温度TA···············-55～125℃
贮存温度范围TS ················-55～150℃
电特性 （TA＝25℃）
参 数 | * 号 | 测试条件 | 量值 | 单位 |
霍尔输出电压 | VH | Ii=5mA B=100mT | 50～130 | mV |
不等位电压 | VO/VH | Ii=5mA B=0/ B=100mT | ≤12 | % |
输入电阻 | Ri | Ii=1mA | 450～900 | Ω |
输出电阻 | RO | Ii=1mA | 900～1800 | Ω |
VH的温度系数 | аVH | Ii=5mA B=100mT | -0.07 | %/℃ |
输入电阻与输出电阻的温度系数 | аi,o | Ii=1mA B=0mT | 0.3 | %/℃ |
线性度 | ΔKH | Ii=5mA B=0～300mT | ＜2 | % |
否
TOSHIBA/东芝
*119
霍尔
聚合物
半导体
多晶
集成
数字型
A
A
A
