长期大量供应二*管SS210

肖特基二*管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，*D是肖特基势垒二*管肖特基二*管结构原理图（SchottkyBarrierDiode,缩写成*D）的简称。*D不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，*D也称为金属－半导体（接触）二*管或表面势垒二*管，它是一种热载流子二*管。   是近年来问世的低功耗、大电流、*速半导体器件。其反向恢复时间*短（可以小到几纳秒），正向导通压降*0.4V左右，而整流电流却可*几千毫安。这些优良特性是快恢复二*管所*拟的。中、小功率肖特基整流二*管大多采用封装形式。

肖特基二*管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正*，以N型半导体B为负*，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中*有*少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起*宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动*相对的平衡，便形成了肖特基势垒。   典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳*使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，*管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N 阴*层，其作用是减小阴*的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳*金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳*金属接电源正*，N型基片接电源负*）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。   综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二*管也已问世，这不*可节省贵金属，大幅度降*，还*了参数的一致性。