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产品属性
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FQPF4N90C − N-Channel QFET®MOSFET 900V, 4A, 4.2Ω
该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和DMOS技术生产。这种*的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。
产品特性
4A, 900V, RDS(on)= 4.2Ω(*大值)@VGS= 10 V, ID= 2A
低栅*电荷(典型值17nC)
低Crss(典型值5.6pF)
100%经过雪崩击穿测试"
应用场景
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FAIRCHILD/*童
FQPF4N90C
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
YFW60N04NF PDFN5*6-8L场效应管 YFW佑风微
YFWG120N15AT TO-220AB场效应管 YFW佑风微
YFWJ10N65AD TO-252场效应管 YFW佑风微
YFWG130N10AS-R TO-263场效应管 YFW佑风微
供应FAIRCHILD场效应管FDP10N50F,FDPF10N50FT
供应*童场效应管FQPF4N90C,4N90
2013*童原装现货电源厂家三*管场效应管N沟道MOS管FDPF8N60ZUT
MOS场效应管FQPF5N60C,5N60
供应FAIRCHILD场效应管FDP7N50F,FDPF7N50F
供应FAIRCHILD场效应管FDP5N50NZ,FDPF5N50NZ