供应可控硅模块MTC500A/800-2200V

*号 

参数名称 

参数值 

单位 

测试条件 

IT* 

通态电流  平均值 

200 

250 

300 

A 

180°导通  正弦半波 

IF*

正向电流  平均值

200

250

300

A

180°导通  正弦半波

ITSM

IFSM

浪涌电流

6000

6000

7000

7600

7800

8500

A

T=10mS  非重复

T=8.3mS  非重复

I2T

180000

180000

245000

245000

304000

300000

A2S

T=10mS  非重复

T=8.3mS  非重复

IRRM/

IDRM

断态漏电流

≤15

mA

TJ=125℃,门*开路

VRRM

反向重复峰值电压

800-1800

V

125℃ I RRM,I DRM=10mA

门*开路

VDRM

断态重复峰值电压

VTM

VFM

峰值通态电压

峰值正向电压

≤1.9

≤1.9

≤1.9

V

ITM=πIT*；IFM=πIF*

TJ=25℃ 180°导通 压接1.9V

Di/dt

通态电流上升率

150

A/μS

TJ=25℃,0.67VDGM,Ig=500mA,tr<0.5μs,tp>6μs

Dv/dt

断态电压上升率

500

V/μS

TJ=125℃,0.67VDRM，门*开路

IH

维持电流

200

mA

TJ=25℃,阳*电压=6V 阻性负载，门*开路

IL

擎住电流

400

mA

TJ=25℃ 阳*电压=6V 阻性负载

PGM

门*峰值功率

10

10

12

W

IGM

门*峰值电流

2.5

2.5

3

A

VGT

门*触发电压

≤2

V

TJ=25℃ 阳*电压=6V 阻性负载

IGT

门*触发电流

≤100

mA

VISO

*缘电压

2500

V

50HZ电路对基板，接线端短接。T=1s

TJ

工作结温

-40 to 125

℃

Tstg

储存温度

K/W

每个模块，直流

RthJC

结壳热阻

0.10

0.09

0.08

K/W

涂导热硅脂

RthCS

接触热阻 基板/散热器

0.05

Wt

重量

865

g

外形尺寸

94*35*38

mm

外壳颜色

黑