HMC1118LP3DE 射频开关 ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Analog Devices Inc.
产品种类：射频开关IC
RoHS：详细信息
开关数量：双
开关配置：SPDT
工作频率：9 kHz至13 GHz
介入损耗：2 dB
MAX工作温度：+ 85 C
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：LFCSP-16
封装：切割带
系列：HMC1118
技术：硅
商标：Analog Devices
至多时间—MAX：2.7 us
运行时间—平均：2.7 us
高控制电压：2 V至3.6 V
MIN工作温度：-40 C
射频开关湿度敏感性：是
射频开关工作电源电流：20 uA
产品类型：射频开关IC
工厂包装数量：50
子类别：无线和射频集成电路
电源电压-MAX：3.6 V
电源电压-MIN：3 V
单位重量：24毫克

特征
非反射50Ω设计
正控制：0 V / 3.3 V
低插入损耗：8.0 GHz时为0.68 dB
高隔离度：8.0 GHz时48 dB
高功率处理
通过路径35 dBm
27 dBm端接路径
高线性度
1 dB压缩（P1dB）：典型值为37 dBm
输入三阶截距（IIP3）：典型值为62 dBm
ESD等级：2 kV人体模型（HBM）
3 mm×3 mm，16引脚LFCSP封装
无低频杂散
建立时间（终RFOUT的0.05 dB裕度）：7.5μs
应用领域
测试仪器
微波无线电和超小孔径终端（VSAT）
军用无线电，雷达和电子对抗措施（ECM）
光纤和宽带电信
一般说明
HMC1118是采用LFCSP表面安装封装的通用，宽带，无反射单刀双掷（SPDT）开关。开关覆盖9 kHz至13.0 GHz范围，具有高隔离度和低插入损耗。该开关具有> 48 dB的隔离度，高达8.0 GHz的0.68 dB插入损耗以及7.5μs的建立时间，终RFOUT的裕度为0.05 dB。开关使用+3.3 V和0 V的正控制电压逻辑线工作，并需要+3.3 V和-2.5 V电源。 HMC1118可以在施加单个正电源电压且负电源电压（VSS）接地的情况下覆盖相同的工作频率范围，并且仍保持良好的电源处理性能。 HMC1118封装为3 mm×3 mm的表面安装LFCSP封装。