HMC194AMS8E 射频开关 ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Analog Devices Inc.
产品种类：RF射频开关IC
RoHS：详细信息
开关数量：单
开关配置：SPDT
工作频率：DC至3 GHz
侵入损耗：0.5 dB
关闭隔离—典型值：55 dB
MAX工作温度：+ 85 C
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：MSOP-8
封装：切割带
系列：HMC194A
技术
商标：Analog Devices
射频开关MIN工作温度：-40 C
射频开关Pd-功率耗散：300 mW
产品类型：射频开关IC
工厂包装数量：50
子类别：无线和射频集成电路
单位重量：140毫克

典型应用
HMC194AMS8 / HMC194AMS8E适用于：
•蜂窝/ PCS基站
•便携式无线
•MMDS和WirelessLAN
特征
超小封装：MSOP8
高隔离度：50 dB
正控制：0 / + 3V至0 / + 7V
一般说明
HMC194AMS8和HMC194AMS8E是采用8引脚MSOP封装的低成本SPDT开关，用于需要在两个RF路径之间实现高度隔离的应用。 这些器件可以控制从DC到3 GHz的信号，并且已经过优化，可在中等功率和低功率应用中提供极高的隔离度，并将插入损耗降至极低。 片上电路允许在非常低的DC电流下进行正电压控制操作，其控制输入与CMOS和大多数TTL逻辑系列兼容。 当“ OFF”时，RF1和RF2反射打开。
额定值
射频输入功率（Vctl = 0V / + 5V）+27 dBm
控制电压范围（A和B）-0.2至+7.5 Vdc
热开关功率电平（Vctl = 0V / + 5V）+24 dBm
通道温度150°C
连续Pdiss（T = 85°C）
（85°C以上时为4.6 mW /°C，低于300 mW
热阻216°C / W
储存温度-65至+150°C
工作温度-40至+85°C
ESD灵敏度（HBM）1A级
典型应用电路
1.设置逻辑门并将Vdd = + 3V切换到+ 5V并使用HCT系列
提供TTL驱动程序接口的逻辑。
2.控制输入A / B可以直接用CMOS逻辑（HC）驱动
将3至7伏的Vdd施加到CMOS逻辑门。
3.如图所示，每个RF端口都需要DC隔直电容器。
电容值确定极低工作频率。
4.通过将Control设置为0 / + 7V，可以实现极高的RF信号功率。