HMC194AMS8E 射频开关 ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Analog Devices Inc.
产品种类:RF射频开关IC
RoHS:详细信息
开关数量:单
开关配置:SPDT
工作频率:DC至3 GHz
侵入损耗:0.5 dB
关闭隔离—典型值:55 dB
MAX工作温度:+ 85 C
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:MSOP-8
封装:切割带
系列:HMC194A
技术
商标:Analog Devices
射频开关MIN工作温度:-40 C
射频开关Pd-功率耗散:300 mW
产品类型:射频开关IC
工厂包装数量:50
子类别:无线和射频集成电路
单位重量:140毫克

典型应用
HMC194AMS8 / HMC194AMS8E适用于:
•蜂窝/ PCS基站
•便携式无线
•MMDS和WirelessLAN
特征
超小封装:MSOP8
高隔离度:50 dB
正控制:0 / + 3V至0 / + 7V
一般说明
HMC194AMS8和HMC194AMS8E是采用8引脚MSOP封装的低成本SPDT开关,用于需要在两个RF路径之间实现高度隔离的应用。 这些器件可以控制从DC到3 GHz的信号,并且已经过优化,可在中等功率和低功率应用中提供极高的隔离度,并将插入损耗降至极低。 片上电路允许在非常低的DC电流下进行正电压控制操作,其控制输入与CMOS和大多数TTL逻辑系列兼容。 当“ OFF”时,RF1和RF2反射打开。
额定值
射频输入功率(Vctl = 0V / + 5V)+27 dBm
控制电压范围(A和B)-0.2至+7.5 Vdc
热开关功率电平(Vctl = 0V / + 5V)+24 dBm
通道温度150°C
连续Pdiss(T = 85°C)
(85°C以上时为4.6 mW /°C,低于300 mW
热阻216°C / W
储存温度-65至+150°C
工作温度-40至+85°C
ESD灵敏度(HBM)1A级
典型应用电路
1.设置逻辑门并将Vdd = + 3V切换到+ 5V并使用HCT系列
提供TTL驱动程序接口的逻辑。
2.控制输入A / B可以直接用CMOS逻辑(HC)驱动
将3至7伏的Vdd施加到CMOS逻辑门。
3.如图所示,每个RF端口都需要DC隔直电容器。
电容值确定极低工作频率。
4.通过将Control设置为0 / + 7V,可以实现极高的RF信号功率。

型号/规格

HMC194AMS8E

品牌/商标

ADI/亚德诺

封装

MSOP-8

批号

20+

数量

10000