HMC270AMS8GE 射频开关 ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Analog Devices Inc.
产品种类：RF射频开关IC
RoHS：详细信息
开关数量：双
开关配置：SPDT
工作频率：直流至8 GHz
介入损耗：2.8 dB
MAX工作温度：+ 85 C
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：MSOP-8
封装：切割带
系列：HMC270A
技术
商标：Analog Devices
至多时间—预期：50 ns
运行时间—平均：50 ns
高控制电压：-5 V至-7 V
射频开关MIN工作温度：-40 C
射频开关湿度敏感性：是
产品类型：射频开关IC
工厂包装数量：50
子类别：无线和射频集成电路
单位重量：140毫克

典型应用
HMC270AMS8GE非常适合
DC-8.0 GHz应用：
•有线电视
•MMDS和WirelessLAN
•无线本地环路
特征
功能图
宽带性能：DC-8 GHz
很高的隔离度：6 GHz时为45 dB
无反光设计
低成本MSOP-8封装：14.8mm2
一般说明
HMC270AMS8GE是采用8引脚MSOP接地基础表面安装塑料封装的宽带非反射式GaAs SPDT开关。 该开关覆盖DC至8 GHz，可提供70至35 dB的出色隔离度。 -5伏的负控制电压允许低至直流的工作电压。 如果需要正控制和高隔离度，请参阅DC至3.5 GHz HMC284AMS8GE非反射式SPDT。
额定值

MAX RF输入功率，Vctl = -5V
插入损耗路径
终止路径
+29 dBm的
25.5分贝
控制电压范围+0.5至-7 Vdc
储存温度-65至+150°C
工作温度-40至+85°C
热阻
插入损耗路径
终止路径
143°C / W
183°C / W
ESD灵敏度（HBM）1A级
应用中使用的电路板应使用适当的RF电路设计技术生成。RF端口的信号线应具有50 Ohm的阻抗，

并且封装的接地线和裸露的接地焊盘应直接连接到接地平面，类似于上面所示。

上面显示的评估电路板可应要求从Analog Devices Inc.获得。