HMC349AMS8GE 射频开关 ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Analog Devices Inc.
产品种类：RF射频开关IC
RoHS：详细信息
开关数量：双
开关配置：SPDT
工作频率：DC至4 GHz
插入损耗：1.8 dB
关闭隔离—典型值：47 dB
MAX工作温度：+ 85 C
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：MSOP-8
封装：切割带
系列：HMC349A
技术
商标：Analog Devices
MIN工作温度：-40 C
湿度敏感性：是
射频开关工作电源电流：1.2 mA
射频开关钯-功率耗散：0.969 W
产品类型：射频开关IC
工厂包装数量：50
子类别：无线和射频集成电路
电源电压-MAX：5 V
单位重量：140毫克

特征
非反射50Ω设计
高隔离度：57 dB至2 GHz
低插入损耗：0.9 dB至2 GHz
高输入线性度
1 dB功率压缩（P1dB）：典型值为34 dBm
三阶截距（IP3）：典型值为52 dBm
高功率处理
通过路径33.5 dBm
26.5 dBm端接路径
单正电源：3 V至5 V
CMOS / TTL兼容控制
全关状态控制
带有裸露焊盘的8引线迷你小型封装
（MINI_SO_EP）
应用领域
蜂窝/ 4G基础架构
无线基础设施
移动收音机
测验设备
一般说明
HMC349AMS8G是砷化镓（GaAs），伪型高电子迁移率晶体管（PHEMT），单刀双掷（SPDT）开关，额定频率范围为100 MHz至4 GHz。
HMC349AMS8G具有57 dB的高隔离度，0.9 dB的低插入损耗，52 dBm的高输入IP3和34 dBm的高输入P1dB，非常适合蜂窝基础设施应用。
HMC349AMS8G使用3 V至5 V的单个正电源电压工作，并提供CMOS / TTL兼容的控制接口。
HMC349AMS8G采用带有裸露焊盘的8引脚微型小型封装。
额定值

电源电压+7 V
数字控制输入电压−1 V至VDD + 1 V
射频输入功率（f = 250 MHz至4 GHz）
通过路径
VDD = 3 V，TCASE = 85°C 31.5 dBm
VDD = 3 V，TCASE = 125°C 26 dBm
VDD = 5 V，TCASE = 85°C 33.5 dBm
VDD = 5 V，TCASE = 125°C 28 dBm
终止路径
VDD = 3 V至5 V，TCASE = 85°C 26.5 dBm
VDD = 3 V至5 V，TCASE = 125°C 21 dBm
热切换
VDD = 3 V至5 V，TCASE = 85°C 30 dBm
VDD = 3 V至5 V，TCASE = 125°C 24.5 dBm
温度
结温（TJ）150°C
外壳温度范围（TCASE）-40°C至+ 125°C
储存温度范围−65°C至+ 150°C
回流焊
HMC349AMS8G 235°摄氏度
HMC349AMS8GE 260°摄氏度
结至外壳热阻（θJC）
通过路径67.1°C / W
终止路径144.2°C / W
ESD灵敏度
人体模型（HBM）250 V（1A类）