AUIRF7379Q MOSFET ▊进口原装现货▊
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道，P沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：4.8 A
Rds上漏源导通电阻：75毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：16.7 nC
Pd-功率耗散：2.5 W
资质：AEC-Q101
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N通道，1 P通道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：AUIRF7379QTR SP001520160
单位重量：540毫克
特征
先进的平面技术
低导通电阻
逻辑电平门驱动
双N和P沟道MOSFET
表面贴装
提供卷带包装
150°C工作温度
无铅，符合RoHS
汽车合格*
描述
这些采用双SO-8封装的HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计，
利用最新的处理技术来实现每硅面积的导通电阻极低。这些符合
汽车标准的HEXFET功率MSFET的其他功能是结温为150°C，开关
速度更快，并且重复雪崩额定值得到了提高。这些优点相结合，
使该设计成为一种高效且可靠的器件，可用于汽车应用以及各种其他应用。
高效的SO-8封装可提供增强的热特性和双MSFET管芯功能，
使其成为各种电源应用的理想选择。这种双表面贴装SO-8可以
大大减少电路板空间，并且也可以在Tape＆Reel中使用。
最大绝对额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
|
N-Channel |
P-Channel |
|||
|
VDS |
Drain-Source Voltage |
30 |
-30 |
V |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
5.8 |
-4.3 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
4.6 |
-3.4 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current |
46 |
-34 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
2.5 |
W |
|
|
|
Linear Derating Factor |
0.02 |
W/°C |
|
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt ‚ |
5.0 |
-5.0 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
AUIRF7379Q
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
