ADR444BRZ 参考电压 ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Analog Devices Inc.
产品种类：参考电压
RoHS：详细信息
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SOIC-8
参考类型：系列精密参考
输出电压：4.096 V
温度系数：1 PPM / C
分流电流—可靠性：10 mA
参考电压最小工作温度：-40 C
参考电压最大工作温度：+ 125 C
系列：ADR444
封装：Tube
精度：50 ppm / mA
描述/功能：4.096 V高精度LDO XFET参考，用于高性能sigma-delta转换器
高度：1.5毫米
输入电压：4.6 V至18 V
长度：5毫米
输出电流：10 mA
产品：电压基准
参考电压宽度：4毫米
商标：Analog Devices
拓扑结构：系列参考
负载调节：50 ppm / mA
工作电源电流：3.75 mA
产品类型：电压基准
子类别：PMIC-电源管理IC
单位重量：540毫克
特征
超低电压噪声（0.1 Hz至10 Hz）：1.2 μV p-p
极好的温度漂移：5 ppm /°C
低压差操作（电源电压裕量）：500 mV
电源电压工作范围：3 V至18 V
高输出源电流和灌电流
分别为+10 mA和-5 mA
增强的产品功能
支持国防和航空航天应用（AQEC
标准）
军用温度范围（−55°C至+ 125°C）
受控的生产基准
1个组装/测试地点
1个生产基地
产品变更通知
可根据要求提供鉴定数据
应用领域
精密数据采集系统
高分辨率数据转换器
电池供电的仪器
精密仪器
军事通讯
无人系统
航空电子
一般说明
ADR441-EP1是XFET®电压基准，具有
超低噪声，高精度和低温漂移
性能。使用ADI公司的温度漂移
曲率校正和额外注入结FET（XFET）
技术中，电压变化与温度非线性关系
ADR441-EP大大减少了。
XFET参考具有比掩埋更好的噪声性能
齐纳基准，XFET基准关闭
低电源电压裕量（500 mV）。这种结合
特性使ADR441-EP非常适合精度要求
信号转换在高端数据采集中的应用
系统，军事通信和航空电子应用。
ADR441-EP能够提供高达+10 mA的电流
输出电流，灌电流达−5 mA。该设备也来了
带有微调端子，可将输出电压调节至0.5％以上
范围而不会影响性能。
ADR441-EP采用8引脚窄型SOIC封装。
ADR441-EP的额定温度范围是军用温度范围
-55°C至+ 125°C的温度范围附加应用和技术
有关信息，请参见ADR441数据手册。