HMC544AETR RF开关 ▊进口原装现货▊

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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Analog Devices Inc.
产品种类:RF开关IC
RoHS:详细信息
RF开关开关数量:单
RF开关开关配置:SPDT
工作频率:DC至4 GHz
侵入损耗:0.7 dB
关闭隔离—典型值:12 dB
最大工作温度:+ 85 C
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SOT-26-6
封装:切割带
封装:MouseReel
封装:卷盘
系列:HMC544AG
技术:GaAs
商标:Analog Devices
最高时间—预期:50 ns
运行时间—平均:50 ns
RF开关高控制电压:3 V至5 V
最小工作温度:-40 C
Pd-功率耗散:574 mW
产品类型:射频开关IC
工厂包装数量:500
子类别:无线和射频集成电路
单位重量:15毫克
典型应用
HMC544A / 544AE适用于:
•蜂窝/ PCS / 3G基础架构
•基站与中继器
•WLAN,WiMAX和WiBro
•微波和固定无线电
特征
极低的插入损耗:1.0 GHz时为0.2 dB
高输入P1dB:+39 dBm
高输入IP3:+60 dBm
正控制:0 / + 3V至0 / + 5V
紧凑的SOT26 SMT封装
一般说明
HMC544A和HMC544AE是采用6引脚SOT26封装的低成本SPDT开关,适用于在中等功率水平下要求极低插入损耗的发送/接收应用。 这些设备可以控制从DC到4.0 GHz的信号,特别适合插入损耗小于0.5 dB的450、900、1900、2300和2700 MHz应用。 这种GaAs PHEMT设计提供了+36 dBm 1dB压缩点的出色线性性能,并且
在+3伏偏置时,+ 60 dBm三阶截距。 当“关”时,RF1和RF2反射打开。 片上电路允许在非常低的直流电流下进行正控制操作。

最大绝对额定值

RF Input Power (Vctl = 0/+5V)

+39 dBm

Control Voltage Range (A & B)

-0.2 to +12 Vdc

Hot Switch Power Level (Vctl = 0/+5V)

 

+39 dBm

Channel Temperature

150 °C

Continuous Pdiss (T= 85 °C) (derate 8.85 mW/ °C above 85°C)

 

0.574 W

Thermal Resistance

113.3 °C/W

Storage Temperature

-65 to +150 °C

Operating Temperature

-40 to +85 °C

ESD Sensitivity (HBM)

Class 1B

型号/规格

HMC544AETR

品牌/商标

ADI/亚德诺

封装

SOT-26-6

批号

20+

数量

10000

厂商

ADI/亚德诺

包装方式

盘装

安装方式

SMD/SMT

工作温度

- 40 C~+85 C