图文详情
产品属性
相关推荐
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Analog Devices Inc.
产品种类:参考电压
RoHS:详细信息
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:MSOP-8
参考类型:系列精密参考
输出电压:2.5 V
温度系数:1 PPM / C
分流电流—可靠性:10 mA
参考电压最小工作温度:-40 C
参考电压最大工作温度:+ 125 C
系列:ADR441
封装:Tube
精度:50 ppm / mA
描述/功能:2.5 V,超低噪声,LDO XFET基准电压源,具有+ 10 /-5 mA输出电流能力
高度:0.85毫米
输入电压:3 V至18 V
长度:3毫米
输出电流:10 mA
产品:电压基准
宽度:3毫米
商标:Analog Devices
拓扑结构:系列参考
负载调节:50 ppm / mA
工作电源电流:3.75 mA
产品类型:电压基准
参考电压工厂包装数量:50
子类别:PMIC-电源管理IC
单位重量:140毫克
特征
超低电压
超低电压噪声(0.1 Hz至10 Hz):1.2 μV p-p极佳的温度漂移:5 ppm /°C
低压差操作(电源裕量):500 mVe噪声(0.1 Hz至10 Hz):1.2 μV p-p出色的温度漂移:5 ppm /°C
低压差操作(电源电压裕量):500 mV
电源电压工作范围:3 V至18 V高输出源电流和灌电流
分别为+10 mA和-5 mA
增强的产品功能
支持国防和航空航天应用(AQEC标准)
军用温度范围(−55°C至+ 125°C)受控的制造基准
1个组装/测试地点
1个生产基地
产品变更通知可根据要求提供合格数据
应用领域
精密数据采集系统高分辨率数据转换器电池供电的仪器精密仪器
军事通信无人系统航空电子
一般说明
ADR441-EP1是XFET®电压基准,具有超低噪声,高精度和低温漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正和额外的注入结FET(XFET)技术,可以最大程度地减小ADR441-EP中电压变化与温度非线性的关系。
XFET参考具有比掩埋稳压管参考更好的噪声性能,并且XFET参考在关闭时工作
低电源电压裕量(500 mV)。这些特性的组合使ADR441-EP非常适合高端数据采集系统,军事通信和航空电子应用中的精密信号转换应用。
ADR441-EP能够提供高达+10 mA的输出电流,并提供高达-5 mA的灌电流。该器件还带有一个微调端子,可在0.5%的范围内调节输出电压,而不会影响性能。
ADR441-EP采用8引脚窄型SOIC封装。 ADR441-EP的额定温度范围为−55°C至+ 125°C军用温度范围。有关其他应用和技术信息,请参见ADR441数据手册。
ADR441ARMZ
ADI/亚德诺
MSOP-8
20+
10000
盘装
SMD/SMT
- 40 C~+125 C