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供应 电子保险丝NIS5112

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市六朋电子有限公司

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该NIS5112是利用一个高集成开关侧N沟道FET的内部电荷泵驱动。此开关的功能是SenseFET ™是当前遥感使用昂贵的低阻*分流intead廉价芯片电阻器允许。
它的设计工作在12 V系统，包括一个强大的热保护电路

特性
  
  • 集*器件
  • 功率器件热保护
  • 无需外部电流并联要求
  • 启用/定时器引脚
  • 可调输出电压摆率
  • 9 V至18 V输入范围
  • 30 MΩ的典型
  • 内部电荷泵
  • 这些无铅器件
应用
  • 硬盘驱动器 意法半导体(ST)近日推出一款保护IC，该产品用于具有*雷电冲击和其它瞬压不对称特性要求的电信设备。
        
         SSRP105B1双不对称瞬压抑制器可帮助电信设备承受各种规范和标准中规定的雷电冲击和功率交叉情况造成的破坏。它所能承受的Ipp电流分别*50A 5/310us和35A 10/1000us，*过了ITU-T K20/21 和GR1089规定的等级。
        
         在线路卡上用固态继电器取代普通机械式环形继电器，改变了保护电路的拓扑和特性。SSRP105B1具有针对这些需求而专门设计的不对称保护特性。
        
         产品特性包括能够处理线路与地面之间的 105V 与 -180V 不对称电压功能，此款IC还能够承受线路之间 180V 到 -180V 的对称电压，维持电流能力 IH 和 IH- 分别*100mA和150mA。
        
         其它应用包括集成环形发生器和通用PBX电路的SLIC。SSRP105B1目前采用紧凑的 SO-8封装。

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类型

其他IC

品牌/商标

ON ST

型号/规格

NIS5112 NIS5112D1R2G NIS5112D2R2G NIS5112D1R NI

用途

通信

体积

小型

保持电流

NIS5112 NIS5112D1R2G NIS5112D2R2G NIS5112D1R NI

电流

NIS5112 NIS5112D1R2G NIS5112D2R2G NIS5112D1R NI

电压特性

*电压

熔断速度

FF/特快速

电压

NIS5112 NIS5112D1R2G NIS5112D2R2G NIS5112D1R NI

执行标准

美标

种类

浪涌保护

动作温度

NIS5112 NIS5112D1R2G NIS5112D2R2G NIS5112D1R NI

温控范围

NIS5112 SSRP105B1 SSRP105

自动复位功能

有

形状

贴片式