SVC补偿电容器500UF

地区:安徽 铜陵
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一.SVC补偿电容器500UF规格书

n      内部构造

1 电介质

该电容器是采用低损耗的金属化聚丙烯薄膜,该自愈式薄膜是采用*基膜、应用*技术蒸镀的渐变方阻*膜。

 薄膜采用全自动化设备卷绕成圆柱形,应用无感卷绕技术,芯子内部采用薄铜片连接技术,使得电容器制作电感更小,过电流过电压能力更强。 

 2 溶剂

电容器中填充的介质是为了隔离电*间的空气,没有填充介质的保护,金属镀层将会被氧化,金属化薄膜将会越来越多的被自愈,电容器的容量越来越小,损耗越来越大。  

n      技术与性能特性

 

Compliance with Standards标准

IEC 61071   IEC61881

operating temperaturesCase)运行温度(外壳)

-40°C to 70°C

storing temperature存储温度 

-40 ... 85°C

ΘHOTSPOT  热点温度

≤85°C

Capacitance tolerance    电容器公差 

&plu*n; 5% or &plu*n; 10%

tanδ0损耗

2 x10-3(100Hz,20°C)

Test voltage terminal to terminal UTT端子间测试电压

1.5 URMSfor 10 seconds

Test voltage terminal to case UTC端子与外壳间测试电压

3kV - 50Hz for 60 seconds

Permissible relative humidity允许的相对湿度

75%Annual average95% on 30 days / year,年平均湿度75%30/

IEC climatic category气候类别

40 / 85 / 21

Capacitance deviation in the operating temperature range of –25°C to 70°C–25°C to 70°C温度下工作时允许容量变化值

&plu*n;1.5% max on capacitance value measured at 20°C*大偏差&plu*n;1.5%相对于20°C测量值

Case components外壳成分

Aluminiumplastic304 stainless steel

铝外壳、塑料外壳、304不锈钢外壳

Terminals端子

Tinned br* fastons or screws镀锡铜螺杆

Installation安装位置

Whatever Position任意位置

Life Expectancy预期寿命

100.000 hours at Un

Failure quota失效率

50 FIT

Recommended torque for screw connections推荐的连接扭矩

内螺纹M6-3Nm,M8-6Nm

         

n      特点

²      应用于直流滤波电路中,可替代电解电容

²      等效串联电阻小,能承受较大的纹波电流

²      自感小

²      有自愈性

²      寿命长

²      铝壳,树酯灌封

 

n      应用场合

²      风能发电、太阳能发电用变频器上

²      交通工具,如:电动车和混合动力车

²       焊接设备,电梯,电机驱动

 

二.公司展示

 

   
  赛福办公楼 赛福销售团队 赛福厂房
   
  分切车间    赛福卷绕车间     赛福车间内部
   
  半成品赋能    赛福车间内部     赛福膜包装

 

 三.产品外形图 



 
四.技术参数

 

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Cn

Rs

Imax

Î

WN

Ls

Dx L

Drawing

m

Order No.

(uf)

(mΩ)

(A)

(KA)

(Ws)

(nH)

(mm)

(Kg)

Un 1100VDC     Us 1650v     Ur 250V     Ut-t1800 VDC     Ut-c 3000 VAC

420

2.0

65

4.2

242

50

Φ86x 156

 ABCD

1.2

"
额定电压

1100(V)

功率特性

*率

调节方式

固定

标称容量

500(uF)

频率特性

高频

应用范围

滤波

型号/规格

DC-Link

温度系数

40 / 85 / 21

允许偏差

&plu*n;5(%)

引线类型

径向引出线

等效串联电阻(*R)

*R≤5mΩ(mΩ)

品牌/商标

赛福

耐压值

3000(V)

损耗

tgδ≤0.002(100Hz);

*缘电阻

≥3000S(MΩ•&micro;F)(mΩ)

介质材料

*薄膜

外形

圆柱形