高压瓷片电容10P/3KV ±5%

Ⅱ类高电介质电容器主要成份以钛酸钡为主而制成，因具有高的功率因数故称＂Ｈi-k＂此类电容器容量大，内部阻*小，低损耗，在电路中常作隔直流，旁路，耦合之用 1、 使用温度范围： -25 ～ 85℃ 2、静电容量： 在温度25&plu*n;2℃以内、以1&plu*n;0.1KHZ及Vrms=1.0v , 不*过容量精度要求 3、测试电压：按标称电压之2.5倍测试 4、*缘阻*:依额定电压&plu*n;3%印加60&plu*n;5秒*,I.R≥10000MΩ 5、损耗角正切值： MAX 2.5%