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一等材质,工业级品质,库存充足,*频点可定制
一、 基础理论
1、 水晶的分子式:SiO2
2、 水晶的硬度:莫氏硬度7级
3、 水晶的比重: 2.65
4、 一个完整的天然水晶一共有30个面,共分5组,每组 6个。
5、 水晶有几个二次对称轴?3个
6、 X轴称为电轴,Y轴称为机械轴,Z轴称为光轴。
7、 公司产品*常用的是那种切型?AT
8、 公司产品属于哪种基本振动模式? 厚度剪切
9、 温度* 573 度,*做晶体元件。
10、 画出晶体元件的等效电路图:
二、 名词解释:
1、标称频率F0:客户给定的频率或是标识频率
2、负载谐振频率FL:带负载电容时测量的频率
3、负载电容CL:产品生产时所串的频率(线路晶体两端串联电容与分布电容的和)
4、调整频差△FL=FL-F0:用户要求的频率误差范围或是电路上可以调整的频率范围
5、谐振电阻RR:晶体工作时的等效电阻
6、负载谐振电阻RL:晶体工作时,包括负载电容一起测量的等效电阻
7、静电容或称并电容C0:晶体不工作时可以测量出电容值
8、DLD:随着激励功率的变化,电阻和频率的变化量
9、寄生频率:非主振以外的其它频率
10、牵引率TS:当负载电容变化时,频率的变化量
三、阐述工艺卫生对产品质量的影响:
工艺卫生不好,对产品的频率稳定性、电阻大小及稳定性、DLD都会有很大影响。产品生产时或检验时合格,但随着时间的推移,频率、电阻、DLD都会发生变化,导致产品不合格。
生产过程合格率低,*是电阻*。DLD不良率增加。
四、阐述切角对成品温度频差的影响:
石英晶体元件,当温度发生变化时,频率也随着升高或降低,中心切角选择不合适,在同样的温度范围内,频差*。切角的一致性不好,会造成晶体温度频差一致性也不好。因此,要根据不同的温度频差要求(包括温度范围),选择不同的中心切角和误差。不同的频率,选用的中心切角也不一样。频率低角度小,频率高角度大。
晶体切角的选择要根据:频率、工作温度范围、和要求的温度频差值来确定。
ELE*RICAL SPECIFICATIONS
Nominal frequency(频率范围) | 24.000MHz |
Oscillation mode | See below table |
Operating temperature range(工作温度范围) | -10℃-- 60℃(standard), -20℃-- 70℃, -40℃-- 85℃,or Specify |
Storage temperature range(保存温度) | -40℃-- 85℃ |
Frequency tolerance(温差) | &plu*n;30PPM at 25&plu*n;2℃( standard) or specify |
Freq. Temp characteristics(频率误差) | &plu*n;20PPM (standard) or specify |
Load capacitance(负载) | 20pF |
Equivalent series resistance | See below table |
Parallel capacitance(Co)(静电容) | 7PF Max |
Drive level(功率) | 100 µW T*ical |
Insulation resistance(*缘电阻) | More than 500MΩAT DC100V |
EQUIVALENT SERI* R*ISTANCE(*R) AND OSCILLATION MODE
FrequencyRange | E.S.R (Ω) | Mode | FrequencyRange | E.S.R (Ω) | Mode |
3.000MHz~5.999MHz | 150Max | Fundamental/AT | 24.000MHz~40.320MHz | 30Max | Fundamental/BT |
6.000MHz~7.999MHz | 60Max | Fundamental/AT | 24.000MHz~29.999MHz | 100Max | Third Overtone /AT |
8.000MHz~15.999MHz | 50Max | Fun, , damenta, l/AT | 30.000MHz~49.999MHz | 80Max | Third Overtone /AT |
16.000MHz~30.000MHz | 30Max | Fundamental/AT | 50.000MHz~100.000MHz | 60Max | Third Overtone /AT |
是
JYJT
2*6 3*8 32.768
晶振
32.768KHZ(MHz)
20ppm(MHz)
20ppm(MHz)
20ppm(MHz)
12.5(pF)
30k(Ω)
100(mW)
-20-70(℃)