场效应管 HS4N60IA (4A600V,MOSFET)

地区:广东 广州
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另,我司专营:2~110A,600V,场效应管

                     200~30KW(30KP)3.6~600V瞬态抑制二*管

                     1/4~5W,2.4~300V10%~2%稳压二*管

                     1~60A,50~200V肖特基二*管

                     1~60A,50~600V*快恢复二*管

                     2~50A,50~1000V硅整流桥

                     25~200W功放三*管

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品牌/商标

HOMSEMI

型号/规格

HS4N60IA

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-INM/*组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

BVDSS

600V

ID

4A