供应场效应K2666

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品牌/商标

SHINDENGEN/新电元

型号/规格

K2666

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-FBM/全桥组件

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

30(V)

夹断电压

45(V)

跨导

45(μS)

*间电容

30(pF)

低频噪声系数

30(dB)

漏*电流

45(mA)

耗散功率

45(mW)