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供应场效应K2666

地区：广东 汕头
认证： 无

蔡楚杰

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品牌/商标

SHINDENGEN/新电元

型号/规格

K2666

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-FBM/全桥组件

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

30（V）

夹断电压

45（V）

跨导

45（μS）

*间电容

30（pF）

低频噪声系数

30（dB）

漏*电流

45（mA）

耗散功率

45（mW）