供应场效应FQD13N06
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FAIRCHILD/*童
FQD13N06
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-HBM/半桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
30（V）
30（V）
45（μS）
45（pF）
45（dB）
45（mA）
45（mW）
