IGBT吸收保护电容 0.22uF / 1200V

地区:北京 北京市
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采用金属化薄膜无感式卷绕,*喷金工艺,迈拉胶带封装,阻燃环氧树脂密封,镀锡铜线引出.有稳定性高、频率特性好、体积小、自愈性好、耐压高、过电流能力强的特点,主要用于UPS、变频器、电镀电源、逆变焊机等其他电力电子设备,IGBT吸收高频*电压、电流用。

北京华仪芯源电子有限公司
供应MITSUBISHI(三菱) IGBT功率模块
CM400DY-24A-300G
400A/1200V/2单元 
*原装

北京华仪芯源电子有限公司
*经销SEMIKRON(西门康)、EUPEC(优派克)
Infineon(英飞凌)、FUJI(富士)、
MITSUBISHI(三菱)、SANREX(三社)、
DYNEX(丹尼克斯)产功率模块IGBT、
IPM、PIM、整流桥、可控硅;
西门康、CONCEPT(瑞士)驱动板;
日本谏早IDC驱动模块;电解电容;吸收电容;
IXYS,西门子(英飞凌)快恢复二*管;
另ATMEL(爱特梅尔)AT91系列ARM集成电路.
长期供应:
PM20CSJ060
PM30CSJ060
PM25RLA120
PM50RLA120
PM75RLA120
PM100RLA120
PM150RLA120
PM50CLA120
PM100CLA120
PM300CLA120
PM150CL1A060
PM200CL1A060
PM75CVA120
PM150CVA060
CM100DC1-24NFM
CM150DY-12H
CM100DY-24A-300G
CM150DY-24A-300G
CM200DY-24A-300G
CM300DY-24A-300G
CM400DY-24A-300G
CM600DY-24A-300G
CM300DY-12NF
CM400DY-12NF
CM300DY-24NF 等

"
品牌/商标

CAPSIT(卡普斯特)

型号/规格

KPH-*

介质材料

复合介质

应用范围

补偿

外形

扁圆

功率特性

*率

频率特性

中频

调节方式

微调

引线类型

径向引出线

允许偏差

-20~80(%)

耐压值

2000(V)

等效串联电阻(*R)

0.22uF / 1200V(mΩ)

标称容量

0.22uF / 1200V(uF)

损耗

0.22uF / 1200V

额定电压

0.22uF / 1200V(V)

*缘电阻

0.22uF / 1200V(mΩ)

温度系数

0.22uF / 1200V