三*管IRF3205-三*管IRF3205-厂商

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晶体三*管(以下简称三*管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用*多的是硅NPN和锗PNP两种三*管,(其中,N表示在高纯度硅中加入磷,是指取代一些硅原子,在电压*下产生自由电子导电,而p是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源*性不同外,其工作原理都是相同的,下面*介绍NPN硅管的电流放大原理。   对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射*e、基*b和集电*c。   当b点电位高于e点电位*点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电*电源Ec要高于基*电源Ebo。   在制造三*管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)*基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射*电流了。   由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基*电源Eb重新补给,从而形成了基*电流Ibo.根据电流连续性原理得:   Ie=Ib Ic   这就是说,在基*补充一个很小的Ib,就可以在集电*上得到一个较大的Ic,这就是所谓电流放大作用,Ic与Ib是维持*的比例关系,即:   β1=Ic/Ib   式中:β1--称为直流放大倍数,   集电*电流的变化量△Ic与基*电流的变化量△Ib之比为:   β= △Ic/△Ib   式中β--称为交流电流放大倍数,由于低频时β1和β的数值相差不大,所以有时为了方便起见,对两者不作严格区分,β值约为几十至一百多。   三*管是一种电流放大器件,但在实际使用中常常利用三*管的电流放大作用,通过电阻转变为电压放大作用。   三*管放大时管子内部的工作原理   1、发射区向基区发射电子   电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射*电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度,可以不考虑这个电流,因此可以认为发射结主要是电子流。   2、基区中电子的扩散与复合   电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电*电流Ic。也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合,扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三*管的放大能力。   3、集电区收集电子   由于集电结外加反向电压很大,这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散,同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电*主电流Icn。另外集电区的少数载流子(空穴)也会产生漂移运动,流向基区形成反向饱和电流,用Icbo来表示,其数值很小,但对温度却异常敏感。

 







品牌/商标

国产,*

型号/规格

三*管IRF3205

应用范围

功率

材料

硅(Si)

*性

PNP型

集电*允许电流ICM

三*管IRF3205(A)

集电*耗散功率PCM

三*管IRF3205(W)

截止频率fT

三*管IRF3205(MHz)

结构

面接触型

封装形式

直插型

封装材料

金属封装