类别分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单制造商ON Semiconductor系列PowerTrench®包装 剪切带（CT） 零件状态在售FET 类型P 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）8.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）20 毫欧 @ 8.8A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）40nC @ 10VVgs（最大值）±25V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1845pF @ 15VFET 功能-功率耗散（最大值）2.5W（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装8-SOIC封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
