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产品属性
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制造商:
International Rectifier
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
Id-连续漏极电流:
11 A
Vds-漏源极击穿电压:
30 V
Rds On-漏源导通电阻:
16.3 mOhms
晶体管极性:
N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 :
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
1.8 V
Qg-栅极电荷:
15 nC
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
2.7 W
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
DPQFN-8
封装:
Reel
商标:
International Rectifier
配置:
Dual
下降时间:
33 ns
正向跨导 - 最小值:
20 S
最小工作温度:
- 55 C
上升时间:
94 ns
工厂包装数量:
4000
典型关闭延迟时间:
12 ns
IRFHM8363TRPBF
IR