供应IXFX140N30P 原装现货

IXFX140N30P     IXYS   MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds    ROHS 无铅

晶体管极性：N-Channel

汲极/源极击穿电压：300 V

闸/源击穿电压：+/- 20 V

漏极连续电流：140 A

导通电阻：24 mOhms

配置：Single

最大工作温度：+ 150 C

安装风格：Through Hole

封装 / 箱体：PLUS 247-3

封装：Tube

商标：IXYS

下降时间：20 ns

正向跨导 - 最小值：50 s

栅极电荷 Qg：185 nC

最小工作温度：- 55 C

功率耗散：1.04 kW

上升时间：30 ns

系列：IXFX140N30

工厂包装数量：30

商标名：Polar, HiPerFET

典型关闭延迟时间：100 ns

 

 

 

制造商 IXYS

系列 HiPerFET™，PolarP2™

包装方式 管件

寿命周期 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 300V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 140A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 8mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 185nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14800pF @ 25V

功率耗散（最大值） 1040W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 24 毫欧 @ 70A，10V

工作温度范围 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

封装 / 箱体 PLUS247™-3

封装/外壳 TO-247-3

 

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