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IRFR5305TRPBF    International Rectifier   MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC     ROHS 无铅

晶体管极性：P-Channel

汲极/源极击穿电压：- 55 V

闸/源击穿电压：20 V

漏极连续电流：- 31 A

导通电阻：65 mOhms

配置：Single

最大工作温度：+ 175 C

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：DPAK-3封装：Reel

商标：International Rectifier

下降时间：63 ns

正向跨导 - 最小值：8 S

栅极电荷 Qg：42 nC

最小工作温度：- 55 C

功率耗散：110 W

上升时间：66 ns

工厂包装数量：2000

典型关闭延迟时间：39 ns

 

型号：IRFR5305TRPBF

RoHS 是

技术 Si

安装风格 SMD/SMT

封装 / 箱体 TO-252-3

通道数量 1 Channel

晶体管极性 P-Channel

Vds-漏源极击穿电压 - 55 V

Id-连续漏极电流 - 31 A

Rds On-漏源导通电阻 65 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压 - 4 V

Vgs - 栅极-源极电压 20 V

Qg-栅极电荷 42 nC

最小工作温度 - 55 C

最大工作温度 + 175 C

配置 Single

通道模式 Enhancement

下降时间 63 ns

正向跨导 - 最小值 8 S

高度 2.3 mm

长度 6.5 mm

Pd-功率耗散 110 W

上升时间 66 ns

工厂包装数量 2000

晶体管类型 1 P-Channel

类型 HEXFET Power MOSFET

典型关闭延迟时间 39 ns

典型接通延迟时间 14 ns

宽度 6.22 mm

单位重量 4 g

IRFR5305TRPBF系列大量备货

 

以上是此款的基本信息，有兴趣了解欢迎咨询沟通！

 

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