信昌电容FM31X473K251ECG 1206 473K 250V

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信昌电容FM31X473K251ECG 1206 473K 250V高压贴片电容又名陶瓷多层片式电容器，是一种用陶瓷粉生产技术，内部为贵金属钯金，用高温烧结法将银镀在陶瓷上作为电极制成。产品分为高频瓷介NPO(COG)和低频瓷介X7R两种材质。NPO具有小的封装体积，高耐温度系数的电容，高频性能好，用于高稳定振荡回路中，作为电路滤波电容。X7R瓷介电容器限于在工作普通频率的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合,这种电容器不宜使用在交流（AC)脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿，所以不建议使用在交流电路中。 旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。 就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。 就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。一类为温度补偿型NPO介质NP0又名COG电气性能最稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变，属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。二类为高介电常数型X7R介质X7R是一种强电介质，因而能出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定，随温度、电压时间的改变，其特有的性能变化并不显著，属稳定电容材料类型，使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。三类为半导体型X5R介质X5R具有较高的介电常数，常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R，容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感，主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及傍路电路中

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