乐山场效应管 L2N7002KLT1G SOT-23

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稳压二极管常用在对直流电压值有一定要求的电路当中。稳压二极管是利用二极管反向击穿特性而制作的元件,其在电路当中最应该注意的一点既稳压二极管要反向使用,也就是要将稳压二极管的负极接电源的正极,其正极接电源的负极,这一点要牢记。常用的稳压二极管有1N4728--1N4769系列,其稳压范围3.3v--100v。但由于稳压二极管的输出电流值不大,故常用在工作电流较小的线路当中。此外利用稳压二极管的稳压特性在有关电子线路当中,它还被赋予限幅、电压采用比较的作用。 

            乐山场效应管 L2N7002KLT1G SOT-23即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路开启电压VT ：在VDS为一固定数值时，能产生ID所需要的最小 |VGS | 值。(增强)(2) 夹断电压VP ：在VDS为一固定数值时，使 ID对应一微小电流时的 |VGS | 值。(耗尽)(3) 饱和漏极电流IDSS ：在VGS = 0时，管子发生预夹断时的漏极电流。(耗尽)(4) 极间电容 ：漏源电容CDS约为 0.1～1pF，栅源电容CGS和栅漏极电容CGD约为1～3pF。(5) 低频跨导 gm ：表示VGS对iD的控制作用。    在转移特性曲线上，gm 是曲线在某点上的斜率，也可由iD的表达式求导得出，单位为 S 或 mS。(6) 最大漏极电流原装AP场效应管贴片MOS管AM30N10-70D IDM(7) 最大漏极耗散功率 PDM(8) 漏源击穿电压 V(BR)DS 栅源击穿电压 V(BR)GS场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。乐山场效应管 L2N7002KLT1G SOT-23乐山场效应管 L2N7002KLT1G SOT-23