供应 IR分立半导体产品 IRFB3206PBF

制造商

Infineon Technologies

制造商零件编号

IRFB3206PBF

描述

MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）

标准包装  FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）

驱动电压（  Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（ 值） 3 毫欧 @ 75A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（ 值） 4V @ 150μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（ 值） 170nC @ 10V

Vgs（ 值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（ 值） 6540pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散（ 值） 300W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-350包装  管件 零件状态在售类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET