供应FF300R12KS4模块

TECHNISCHE信息/技术信息IGBT-ModuleIGBT模块FF300R12KS4vorläufigeDatenpreliminary

数据HöchstzulässigeWerte /最大额定值ELEKTRISCHE Eigenschaften /电气性能Kollektor - 

发射极SperrspannungTvj = 25°C VCES 1200 V集电极 - 发射极voltageKollektor-DauergleichstromTC = 60°CIC，

NOM。 300ADC，集电极电流TC = 25°C IC370APeriodischer Kollektor Spitzenstromrepetitive峰值收藏家currenttP

 = 1毫秒，TC = 60℃ICRM 600一Gesamt Verlustleistungtotal功率dissipationTC = 25°C; TransistorPtot1950W门

发射器发射极Spitzenspannunggate高峰voltageVGES +/- 20VV DauergleichstromDC正向电流IF300一个Periodischer

 Spitzenstrom正向重复峰值currenttP = 1毫秒IFRM600A Grenzlastintegral DER DiodeI2笔 - 值，DiodeVR = 0V，

TP = 10ms时，TVJ = 125°CI2 TK A2小号法分离-Prüfspannunginsulation试验电压有效值，F = 50赫兹，

T = 1 min.VISOL2.500V Charakteristische Werte /特征值晶体管/晶体管分钟。 （典型值）。最大。

 Kollektor发射极SättigungsspannungIC= 300A，VGE = 15V时TVJ = 25°CVCE坐在-3,203,75Vcollector发射极

饱和voltageIC = 300A，VGE = 15V时TVJ = 125°C -3,85-VGATE-Schwellenspannunggate门槛voltageIC = 

12毫安， VCE = VGE，TVJ = 25°C VGE（TH）4,5 5,50 6,50 VEingangskapazitätinput电容F = 1MHz时，

TVJ = 25°C，VCE = 25V，VGE = 0VCies-20 nF的Rückwirkungskapazität反向传输capacitancef = 1MHz时，

TVJ = 25°C，VCE = 25V，VGE = 0VCres -1,4- nF的Gateladunggate充电VGE = -15V ... + 15V; VCE = ...

 VQG-3,2-μCKollektor发射Reststromcollector发射器切断电流栅极发射Reststrom门发射器的漏电流VCE = 0V，

VGE = 20V，TVJ = 25°C IGES - 编写400nA：MOD-D2;出版马丁Knechtdate：由2002-10-21approved：

SM TM;威廉·鲁舍修订：2