供应FDD4685半导体

地区:广东 深圳
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 一般信息
数据列表FDD4685

标准包装  2,500包装  标准卷带 

类别分立半导体产品产品族FET - 单系列PowerTrench®其它名称FDD4685TR 

 规格
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.4A(Ta),32A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 27 毫欧 @ 8.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 27nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 2380pF @ 20V
功率 - 最大值 3W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装 D-Pak

型号

FDD4685

品牌

FAIRCHILD

封装

TO-252-2

数量

25000