STM8S103F3P6意法半导体

　　STM8S103F2/x3访问线8位微控制器提供8Kbytes的Flash程序

　　内存，加上集成的真实数据EEPROM。STM8S微控制器系列参考手册(RM0016)将该系列中的设备称为低密度设备。它们提供了以下好处:性能、健壮性和降低系统成本。

　　设备性能和鲁棒性是由先进的核心和外围设备，在一个最先进的技术，一个16mhz时钟频率，健壮的I/Os，独立的手表与独立的时钟源，时钟安全系统。STM8S103F2/x3访问线8位微控制器提供8Kbytes的Flash程序内存，加上集成的真实数据EEPROM。STM8S微控制器系列参考手册(RM0016)将该系列中的设备称为低密度设备。它们提供了以下好处:性能、健壮性和降低系统成本。

　　设备性能和鲁棒性是由先进的核心和外围设备，在一个最先进的技术，一个16mhz时钟频率，健壮的I/Os，独立的手表与独立的时钟源，时钟安全系统。

　　STM8S103F3P6参数：

　　产品型号：STM8S103F3P6

　　核心处理器：STM8

　　核心尺寸：8位

　　速度：16MHz

　　连接性：I2C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART

　　外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT

　　I/O数：16

　　程序存储容量：8KB（8Kx8）

　　程序存储器类型：闪存

　　EEPROM容量：640x8

　　RAM容量：1Kx8

　　电压-电源（Vcc/Vdd）：2.95V~5.5V

　　数据转换器：A/D5x10b

　　振荡器类型：内部

　　工作温度：-40°C~85°C（TA）

　　封装/外壳：20-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）

　　供应商器件封装：20-TSSOP

　　STM8S103F3P6框图：

　　最小值和最大值：

　　除非另有规定，在环境温度为25℃和TA=TAmax(由选定的温度范围给出)的100%设备上进行生产测试，保证在环境温度最坏的情况下，电源电压和频率的最小值和最大值。

　　表脚注中列出了基于表征结果、设计模拟和/或技术特性的数据，但未在生产中进行测试。特征的基础上，最大和最小值是指样本测试和代表平均值±标准偏差的3倍(平均±3Σ)。

　　典型值：

　　除非另有说明，典型数据基于TA=25℃，VDD=5.0V。它们只作为设计指南提供，没有经过测试。典型的ADC精度值是由一批样本的特征标准扩散在整个温度范围内，95%的设备有误差小于或等于价值(均值±2Σ)表示。