SI4953ADY-T1-E3

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详细介绍：

数据列表SI4953ADY;

标准包装  1包装  剪切带（CT） 零件状态停產类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 阵列系列TrenchFET®

规格FET 类型2 个 P 沟道（双）FET 功能逻辑电平门漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）3.7A不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）53 毫欧 @ 4.9A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）25nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）-功率 - 最大值1.1W安装类型表面贴装型封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装8-SO

文档PCN 过时产品/ EOLSIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014

数据列表SI4953ADY;

标准包装  1包装  剪切带（CT） 零件状态停產类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 阵列系列TrenchFET®

规格FET 类型2 个 P 沟道（双）FET 功能逻辑电平门漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）3.7A不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）53 毫欧 @ 4.9A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）25nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）-功率 - 最大值1.1W安装类型表面贴装型封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装8-SO

文档PCN 过时产品/ EOLSIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014

数据列表SI4953ADY;

标准包装  1包装  剪切带（CT） 零件状态停產类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 阵列系列TrenchFET®

规格FET 类型2 个 P 沟道（双）FET 功能逻辑电平门漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）3.7A不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）53 毫欧 @ 4.9A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）25nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）-功率 - 最大值1.1W安装类型表面贴装型封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装8-SO

文档PCN 过时产品/ EOLSIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014

数据列表 SI4953ADY;

标准包装   1

包装   剪切带（CT）  

零件状态 停產

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

系列 TrenchFET®

规格

FET 类型 2 个 P 沟道（双）

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.7A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 53 毫欧 @ 4.9A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA（最小）

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 25nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -

功率 - 最大值 1.1W

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装 8-SO

文档

PCN 过时产品/ EOL SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014

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