SI9435BDY-T1-E3

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详细介绍：

数据列表SI9435BDY;标准包装  2,500包装  标准卷带 

零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列TrenchFET®

规格FET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）

42 毫欧 @ 5.7A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）24nC @ 10VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）1.3W（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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规格FET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）

42 毫欧 @ 5.7A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）24nC @ 10VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）1.3W（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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规格FET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）

42 毫欧 @ 5.7A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）24nC @ 10VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）1.3W（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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