SI7658ADP-T1-GE3

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详细介绍:

数据列表BSC035N04LS G;标准包装  5,000包装  标准卷带 零件状态有源

类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列OptiMOS™

规格FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）21A（Ta），100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）3.5 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2V @ 36μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）64nC @ 10VVgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）5100pF @ 20VFET 

功能-功率耗散（最大值）2.5W（Ta），69W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型供应商器件封装PG-TDSON-8-1封装/外壳8-PowerTDFN

文档仿真模型OptiMOS™ Power MOSFET 40V N-Channel Spice Model

其它有关文件Part Number Guide

PCN 其它Multiple Changes 09/Jul/2014

PCN 封装Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018

PCN 组件/产地Assembly Site Update 26/Jul/2016

图像和媒体产品相片PG-TDSON-8-1

特色产品Data Processing Systems

数据列表BSC035N04LS G;标准包装  5,000包装  标准卷带 零件状态有源

类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列OptiMOS™

规格FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）21A（Ta），100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）3.5 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2V @ 36μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）64nC @ 10VVgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）5100pF @ 20VFET

功能-功率耗散（最大值）2.5W（Ta），69W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型供应商器件封装PG-TDSON-8-1封装/外壳8-PowerTDFN

文档仿真模型OptiMOS™ Power MOSFET 40V N-Channel Spice Model

其它有关文件Part Number Guide

PCN 其它Multiple Changes 09/Jul/2014

PCN 封装Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018

PCN 组件/产地Assembly Site Update 26/Jul/2016

图像和媒体产品相片PG-TDSON-8-1

特色产品Data Processing Systems

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