SI7686DP-T1-GE3

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详细介绍：

数据列表SI7686DP;标准包装  3,000包装  标准卷带 

零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列TrenchFET®

规格FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）

（25°C 时）35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）9.5 毫欧 @ 13.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）26nC @ 10VVgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1220pF @ 15VFET 功能-功率耗散（最大值）5W（Ta），37.9W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商

器件封装PowerPAK® SO-8封装/外壳PowerPAK® SO-8

 数据列表SI7686DP;标准包装  3,000包装  标准卷带

零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列TrenchFET®

规格FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）

（25°C 时）35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）9.5 毫欧 @ 13.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）26nC @ 10VVgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1220pF @ 15VFET 功能-功率耗散（最大值）5W（Ta），37.9W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商

器件封装PowerPAK® SO-8封装/外壳PowerPAK® SO-8

 数据列表SI7686DP;标准包装  3,000包装  标准卷带

零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列TrenchFET®

规格FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）

（25°C 时）35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）9.5 毫欧 @ 13.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）26nC @ 10VVgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1220pF @ 15VFET 功能-功率耗散（最大值）5W（Ta），37.9W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商

器件封装PowerPAK® SO-8封装/外壳PowerPAK® SO-8

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