MMSF7P03HDR2

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详细介绍：

制造商零件编号MMSF7P03HDR2

描述MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)

规范的达标情况含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)

规范要求湿气敏感性等级 （MSL）1（无限）

详细描述表面贴装型-P-通道-30V-7A（Ta）-2.5W（Ta）-8-SOIC

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

一般信息数据列表MMSF7P03HD;

标准包装  2,500包装  标准卷带 

零件状态停產类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-

规格FET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）35 毫欧 @ 5.3A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）75.8nC @ 6VVgs

（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1680pF @ 24VFET

 功能-功率耗散（最大值）2.5W（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SOIC封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

制造商零件编号MMSF7P03HDR2描述MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)

规范的达标情况含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)

规范要求湿气敏感性等级 （MSL）1（无限）

细描述表面贴装型-P-通道-30V-7A（Ta）-2.5W（Ta）-8-SOIC

图像仅供参考，请参阅产品规格书。一般信息数据列表MMSF7P03HD;

标准包装  2,500包装  标准卷带 零件状态停產类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-

规格FET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）35 毫欧 @ 5.3A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）75.8nC @ 6VVgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1680pF @ 24VFET 功能-功率耗散（最大值）2.5W（Ta）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SOIC封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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