SI4435DYPBF

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详细介绍：

零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET®

规格FET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）20 毫欧 @ 8A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）60nC @ 10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2320pF @ 15VFET 功能-功率耗散（最大值）2.5W（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET®

规格FET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）20 毫欧 @ 8A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）60nC @ 10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2320pF @ 15VFET 功能-功率耗散（最大值）2.5W（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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规格FET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）20 毫欧 @ 8A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）60nC @ 10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2320pF @ 15VFET 功能-功率耗散（最大值）2.5W（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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规格FET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）20 毫欧 @ 8A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）60nC @ 10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2320pF @ 15VFET 功能-功率耗散（最大值）2.5W（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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